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Produktbeschreibung
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Samsung 860 EVO MZ-N6E2T0BW - Solid-State-Disk - 2 TB - SATA 6Gb/s
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Typ
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Solid-State-Disk - intern
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Kapazität
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2 TB
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Hardwareverschlüsselung
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Ja
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Encryption Algorithm
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256-Bit-AES
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NAND-Flash-Speichertyp
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3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC)
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Formfaktor
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M.2 2280
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Schnittstelle
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SATA 6Gb/s
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Datenübertragungsrate
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600 MBps
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Puffergrösse
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2 GB
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Merkmale
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Stoßfest, TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
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Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe)
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22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
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Gewicht
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8 g
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Gerätetyp
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Solid-State-Disk - intern
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Kapazität
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2 TB
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Hardwareverschlüsselung
|
Ja
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Encryption Algorithm
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256-Bit-AES
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NAND-Flash-Speichertyp
|
3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC)
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Formfaktor
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M.2 2280
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Schnittstelle
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SATA 6Gb/s
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Puffergröße
|
2 GB
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Merkmale
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Stoßfest, TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
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Breite
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22.15 mm
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Tiefe
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80.15 mm
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Höhe
|
2.38 mm
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Gewicht
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8 g
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Übertragungsrate Laufwerk
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600 MBps (extern)
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Interner Datendurchsatz
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550 MBps (lesen)/ 520 MBps (Schreiben)
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Maximal 4 KB Random Write
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88000 IOPS
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Maximal 4 KB Random Read
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97000 IOPS
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MTBF
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1,500,000 Stunden
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Schnittstellen
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1 x SATA 6 Gb/s - M.2 Card
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Kompatibles Schaltfeld
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M.2 2280
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Energieverbrauch
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3 Watt (Durchschnitt) 4.5 Watt (Maximum)
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Min Betriebstemperatur
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0 °C
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Max. Betriebstemperatur
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70 °C
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Schocktoleranz (in Betrieb)
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1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen
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Brand
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Samsung
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