| Produktbeschreibung | AORUS - Solid-State-Disk - 500 GB - PCI Express 4.0 x4 (NVMe) |
| Typ | Solid-State-Disk - intern - TRIM-Unterstützung, Wear Leveling Support, integrierter Kühlkörper, LDPC Fehlerkorrektur, Over Provision, NVM Express (NVMe) 1.3, 3D BiCS Flash, Phison PS5016-E16 Controller |
| Kapazität | 500 GB |
| NAND-Flash-Speichertyp | 3D triple-level cell (TLC) |
| Formfaktor | M.2 2280 |
| Puffergrösse | 512 MB |
| Merkmale | TRIM-Unterstützung, Wear Leveling Support, integrierter Kühlkörper, LDPC Fehlerkorrektur, Over Provision, NVM Express (NVMe) 1.3, 3D BiCS Flash, Phison PS5016-E16 Controller, S.M.A.R.T. |
| Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) | 80.5 mm x 23.5 mm x 11.4 mm |
| Gerätetyp | Solid-State-Disk - intern |
| Kapazität | 500 GB |
| NAND-Flash-Speichertyp | 3D triple-level cell (TLC) |
| Formfaktor | M.2 2280 |
| Puffergröße | 512 MB |
| Merkmale | TRIM-Unterstützung, Wear Leveling Support, integrierter Kühlkörper, LDPC Fehlerkorrektur, Over Provision, NVM Express (NVMe) 1.3, 3D BiCS Flash, Phison PS5016-E16 Controller, S.M.A.R.T. |
| Breite | 80.5 mm |
| Tiefe | 23.5 mm |
| Höhe | 11.4 mm |
| SSD-Leistung | 850 TB |
| Interner Datendurchsatz | 5000 MBps (lesen)/ 2500 MBps (Schreiben) |
| 4 KB Random Read | 400000 IOPS |
| 4 KB Random Write | 550000 IOPS |
| MTBF | 1,770,000 Stunden |
| Schnittstellen | 1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Card |
| Kompatibles Schaltfeld | M.2 2280 |
| Energieverbrauch | 5.9 Watt (Lesen) 4.5 Watt (Schreiben) 13.21 mW (Leerlauf) |
| Min Betriebstemperatur | 0 °C |
| Max. Betriebstemperatur | 70 °C |
| Min. Lagertemperatur | -40 °C |
| Max. Lagertemperatur | 85 °C |
| Brand | Gigabyte |
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